8月12日，Roundhill Memory ETF盤中上漲7.94%，報54.305美元/股，成交額5.49億美元。

消息面上，多重利好共振推動存儲板塊走強。三大DRAM原廠2027年產能已全部售罄，手握940億美元預付款長約鎖定至2030年；SK海力士宣佈投資約54.3萬億韓元新建龍仁及清州兩座晶圓廠，分別聚焦HBM及下一代DRAM與NAND產能擴張，預計2028年底至2029年陸續投產。此外，內存價格已漲回接近歷史高位水平，AI需求年增速遠超產能擴張速度。機構普遍認為本輪存儲上行周期為AI驅動的結構性轉變，行業景氣度有望持續。

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