Roundhill Memory ETF（DRAM）今日盤中大漲7.34%，延續了盤前的強勁漲勢，引發市場廣泛關注。作為聚焦全球存儲芯片產業鏈的ETF，其強勁表現反映出存儲板塊正受到多重利好的共同推動。

消息面上，摩根大通最新報告指出，全球存儲芯片短缺可能持續至2028年，高帶寬內存（HBM）明年均價增幅或超四成。三大DRAM原廠2027年產能已全部售罄，手握940億美元預付款長約鎖定至2030年。與此同時，SK海力士宣佈投資384億美元新建兩座晶圓廠以擴產HBM及下一代DRAM，並重啓大連NAND二號工廠建設，將當地產能擴大約50%。內存價格已漲回接近2007年水平，AI需求年增速遠超產能擴張速度。

此外，全球存儲芯片供應緊張態勢持續升級，長期供應協議（LTA）的覆蓋範圍已從三大原廠快速延展至閃迪及中國長鑫存儲等二三線廠商，進一步印證了行業供需格局的持續偏緊。新加坡主權財富基金淡馬錫亦首次投資韓國股市，選定三星電子和SK海力士作為投資標的，認為AI價值鏈中存儲半導體領域被市場低估。機構普遍認為，本輪存儲上行周期為AI驅動的結構性轉變，而非傳統短周期波動，行業景氣度有望持續。