8月12日，Roundhill Memory ETF盤前上漲5.01%，報53.44美元/股，成交額1573.56萬美元。

消息面上，多重利好共振推動存儲板塊走強。摩根大通最新報告指出全球存儲芯片短缺或持續至2028年，HBM明年均價增幅或超四成；三大DRAM原廠2027年產能已全部售罄，手握940億美元預付款長約鎖定至2030年；SK海力士宣佈投資384億美元新建兩座晶圓廠擴產HBM及下一代DRAM；內存價格已漲回接近2007年水平，AI需求年增速遠超產能擴張速度。此外，長江存儲Q2首次躋身全球第三大NAND閃存出貨方，進一步印證行業需求旺盛。機構普遍認為本輪存儲上行周期為AI驅動的結構性轉變，而非傳統短周期波動。

Roundhill Memory ETF聚焦全球存儲芯片產業鏈相關標的投資。

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