新浪科技訊 6月23日下午消息，芯聯集成控股公司芯聯動力宣佈正式推出3300V SiC MOSFET器件。該產品填補了國內高壓SiC器件在固態變壓器核心功率級應用中的關鍵空白，是AI基礎設施電源及高壓寬禁帶半導體領域的關鍵突破。

　　隨着生成式AI算力需求呈指數級增長，單AI機櫃功率密度正向兆瓦級別邁進。英偉達年初宣佈推動AI數據中心供電架構向800V HVDC演進，固態變壓器成為AI數據中心領域的關鍵環節；在智能電網與新能源領域，固態變壓器同樣發揮着核心作用。隨着固態變壓器市場的逐步起量，高壓SiC器件將迎來更明確的量產需求。

　　據了解，此次芯聯動力推出的3300V SiC MOSFET器件面向固態變壓器（SST）等高壓、高功率密度、高可靠性應用場景深度定製，目前已向核心客戶送樣驗證。基於3300V器件優勢形成的綜合方案，可實現系統級BOM成本降低20%-35%，為固態變壓器向更高開關頻率、更小體積和更高轉換效率演進提供核心器件支撐。

　　芯聯動力聚焦於碳化硅（SiC） 和氮化鎵（GaN） 的一站式系統解決，主要服務於新能源車、AI數據中心電源、能源與工控等領域，擁有國內首條8英寸碳化硅MOSFET產線，是國內少數實現新能源汽車主驅SiC 芯片量產的企業，目前主要佈局數據中心800V HVDC的SiC及GaN解決方案、固態變壓器SST器件等AIDC領域。據第三方研究平台NE時代發布2026年一季度數據，芯聯動力碳化硅功率模塊裝機量位居國內第二，市場份額達到14.6%。

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責任編輯：江鈺涵