智通財經APP獲悉，據韓國媒體最新報道，全球存儲芯片兩大超級霸主——即韓國存儲雙雄三星電子與SK海力士正準備在下周一宣佈價值數千億美元的新一輪投資以大幅擴張HBM/DRAM/NAND存儲芯片產能以及新建設大型數據中心或產業園區。

此外，另一存儲芯片原廠——即來自美國的存儲芯片巨頭美光周四公布的最新財報顯示，該公司將2026財年資本開支計劃上調50億美元至創紀錄的250億美元規模，這些存儲巨頭最新擴張跡象可謂凸顯出，阿斯麥、泛林、應用材料等半導體設備巨頭們正進入由AI芯片與存儲芯片大規模擴產驅動的新一輪超級增長周期。

從擴產工程邏輯來看，阿斯麥EUV/DUV光刻機絕非普通等級的半導體設備，而是先進邏輯芯片、AI加速器、HBM相關的高端DRAM製程繼續縮微和提升良率的瓶頸工具;此外，AI芯片短缺、HBM/DRAM緊張、NAND需求結構性抬升，本質上都指向同類型的AI算力基礎設施供給瓶頸與約束：先進算力不是只長期缺乏GPU/TPU，而是缺晶圓產能、先進芯片製程與先進封裝產能、存儲芯片產能巨大缺口之下的刻蝕/沉積/量測控制/先進封裝設備和光刻吞吐能力;與此同時，華爾街分析師們認為這種供給瓶頸正在把半導體設備鏈從「周期復甦交易」重新定價為「AI算力資本開支超級周期交易」。

韓國《每日經濟新聞》周五報道稱，三星集團將公布未來十年規模達1000萬億韓元(大約6460億美元)的史無前例支出計劃;其中包括可能斥資300萬億韓元在韓國西南部建設芯片工廠。這將成為韓國歷史上規模最大的此類支出計劃。報道稱，三星和SK海力士的高層預計將於下周初出席在韓國青瓦台舉行的總統簡報會。三星和SK海力士是韓國市值最高的兩家公司，也是全球領先的存儲芯片製造巨頭。

韓國存儲芯片雙雄籌備史上最大規模支出

青瓦台一名高級發言人當地時間周四表示，韓國總統李在明將於周一主持「關於大韓民國實現偉大躍升的三大超級項目國家簡報會」，並補充稱更多細節將在當天公布。在該活動籌備期間，《每日經濟新聞》和其他韓國傳統報紙報道稱，這兩大存儲芯片巨頭的高管們已與總統會面，討論史無前例的韓國本土投資計劃。

韓國總統政策室長Kim Yong-beom表示，當總統於6月29日主持會議並且討論大型企業投資計劃時，將公布「非常不同尋常」的數字。Kim周五在一檔YouTube節目接受採訪時表示，該活動將聚焦半導體產能、AI數據中心建設進程和物理AI等關鍵前沿技術領域。

總部位於首爾的Eugene Asset Management首席投資官Ha SeokKeun表示：「總體而言，我們認為這是非常積極的。」「更大規模的AI算力基礎設施相關聯投資以及半導體制造設備投資應會改善AI基建最核心的AI芯片、存儲芯片以及更廣泛AI算力基礎設施相關產業鏈的長期需求能見度。」

三星和SK海力士代表拒絕對這些報道發表評論。

總部位於韓國利川的SK海力士已暗示計劃投入鉅額資金以全面擴大HBM/DRAM/NAND存儲芯片產能，並竭盡全力滿足全球人工智能行業和更廣泛科技行業在AI基建大浪潮之下對存儲芯片的爆炸式需求。該公司計劃在美國股票市場上市孖展290億美元，此前SK集團董事長崔泰源本月早些時候表示，他打算在未來五年將存儲芯片產能翻倍。

崔泰源6月在中國台北2026年Computex大會對記者表示，該存儲原廠正在應對可能持續到2030年的存儲芯片持續嚴重短缺。儘管SK海力士打算顯著增加投資以擴大HBM/DRAM/NAND存儲芯片產能，但崔泰源沒有披露公司計劃支出多少資金。

總部位於水原的三星與SK海力士一樣，在近幾個季度因存儲芯片需求蓬勃增長而公布創紀錄的銷售額和營業利潤數據，同時還表現出在全球AI算力基礎設施領域發揮更大作用的產能擴張興趣——比如欲挑戰台積電在先進製程AI芯片代工領域堪稱壟斷的代工地位。《每日經濟新聞》報道稱，執行董事長李在鎔預計將在7月2日公布位於忠清南道牙山的數據中心大規模投資計劃。

SK海力士與三星電子(Samsung Electronics)以及總部位於美國的美光科技(MU.US)一道，三方勢力共同主導着全球存儲芯片市場供需格局，並且一直是人工智能訓練/推理算力需求指數級擴張驅動的數據中心建設繁榮的最主要受益群體。這兩大韓國存儲芯片巨頭都將英偉達(NVDA.US)列為其最大規模客戶之一。

GPU/TPU/AI ASIC負責處理transformer矩陣乘法工作負載並生成智能，HBM/DRAM負責高速喂數，企業級NAND/eSSD負責熱數據與緩存，而HDD負責天量級別的冷/溫數據的長期留存，因此高盛等華爾街金融巨頭們認為雲計算巨頭們主導的AI算力軍備競賽正在把存儲芯片從周期品推成稀缺戰略資產，2026年DRAM/NAND漲價不是尾聲，而可能是超級周期的初步階段。

緊隨三星電子進入萬億美元市值俱樂部之後，韓國另一存儲芯片巨頭SK海力士總市值近日也突破1萬億美元，並與三星電子共同大舉推動韓國股票市場基準股指——KOSPI綜合指數屢創新高，背後核心正是AI訓練/推理驅動的近乎無止境HBM/DRAM/NAND存儲需求和存儲芯片漲價預期。在全球最大規模的兩大存儲芯片製造巨頭三星電子和SK海力士股價漲勢如虹般牛市軌跡的推動下，韓國基準股指Kospi指數今年還不到6個月就已翻倍，相比之下2025年全年近80%漲幅甚至顯得渺小。

AI芯片與存儲雙引擎點火，半導體設備邁向超級周期！阿斯麥、應用材料、科磊與泛林站上AI算力短缺風暴眼

對半導體設備廠商們而言，存儲芯片擴產不是簡單多建幾條生產線，而是斥巨資新建更多數量潔淨室，以及HBM、先進DRAM、企業級SSD、3D NAND和先進封裝需求共同拉動對於光刻、刻蝕、沉積、量測、材料工程和先進封裝設備的史無前例強勁需求。

華爾街金融巨頭富國銀行最新發布的研究報告顯示，受益於3nm、2nm 乃至更先進芯片製程產能擴張以及CoWoS/3D先進封裝產能、DRAM/NAND存儲芯片產能擴張大舉加速，半導體設備板塊的長期牛市邏輯可謂越來越堅挺。富國銀行表示，包括阿斯麥(ASML.US)、應用材料(AMAT.US)、泛林(LRCX.US)以及科磊(KLAC.US)在內的全球半導體設備製造商們第二季度業績將繼續表現積極，同時將其對於2027年晶圓廠整體設備支出的預期從此前約1800億美元上調至約1900億美元。

在看好半導體板塊股價與基本面前景的分析師們看來，任何有關台積電、三星等芯片製造商們產能擴張的動態，對於覆蓋EUV光刻機的阿斯麥以及聚焦刻蝕、薄膜沉積與CMP等先進製程工藝以及聚焦2.5D/3D先進封裝的半導體設備巨頭們而言都是積極催化劑。

阿斯麥受益於先進DRAM/EUV層數增加與邏輯製程擴張;泛林受益於HBM、DRAM和3D NAND中的高深寬比刻蝕/沉積與堆疊複雜度提升;應用材料則受益於DRAM、先進封裝、材料工程和AI芯片需求擴張帶來的多種定製化類型先進製程設備需求。

阿斯麥、應用材料、泛林集團和科磊，為富國銀行與花旗都看好的半導體設備巨頭。在芯片廠，應用材料身影可謂無處不在。不同於阿斯麥始終專注於光刻領域， Lam Research(泛林)重心更偏向刻蝕、清洗、圖形化與關鍵薄膜製程，尤其集中在3D NAND存儲所需的高深寬比(HAR)刻蝕/沉積與相關工藝能力，應用材料提供的高端設備在製造芯片的幾乎每一個步驟中發揮重要作用，其產品涵蓋原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、快速熱處理(RTP)、CMP、晶圓刻蝕、離子注入等重要造芯環節。

相比於阿斯麥和應用材料，科磊則聚焦於檢測環節。特別是在芯片製造的化學過程控制和芯片良率監測領域，其在寬帶等離子光學檢查技術和最新的芯片缺陷同步精細化檢查系統方面的突破，為半導體製造商提供了更強大的工具來提升生產效率和產品質量。其先進的技術和設備在行業中佔據了重要地位，廣泛應用於各種半導體制造過程。

另一華爾街巨頭花旗表示，在樂觀情景下預計全球WFE市場規模將從2026年的約1450億美元升至2027年的2000億美元、2028年的2500億美元，並將該機構對於應用材料的目標股價從550美元大幅上調至710美元，對於泛林的目標價格從315美元上調至450美元、對於科磊目標股價從206美元上調至290美元。

與此同時，Anthropic引領的AI智能體浪潮驅動的多步驟推理會急劇放大KV cache與中間狀態存儲需求，當高成本HBM和DRAM無法經濟承接全部內存需求時，NAND、XL-Flash、高性能存儲層和相關製程設備需求會被系統性抬升，這也是AMAT、LRCX、KLAC被花旗上調目標價的關鍵邏輯。