快科技6月25日消息，在別家芯片廠還在追逐3nm、2nm的時候，作為CMOS櫃機工藝的真神，IBM這一次又拿出了全球首個0.7nm工藝，單芯片密度能達到1000億晶體管。

IBM上一次震撼業界的工藝還是2021年全球首發2nm工藝，這個工藝也是日本Rapidus公司明年量產2nm芯片的基礎，這次的新工藝明面上是Sub-1nm，實際上是做到了0.7nm等效水平。

與之前公布的2nm工藝相比，0.7nm工藝的性能提升50%，能效提升了70%，SRAM面積縮小了40%，一個指甲蓋大小的芯片可以集成1000億晶體管，比2nm的500億翻倍，比7nm工藝的200億更是五倍水平。

但是這一次的0.7nm工藝重大突破不只是繼續微縮，而是創新了晶體管結構，當前2nm及以下工藝採用的的GAA晶體管結構源於IBM公司2017年發布的Nanosheet納米片構型，這次IBM又推出了納米堆棧Nanostack構型。

傳統上晶體管的p、n型是並排排列的，Nanostack則是p、n晶體管垂直分隔並交替堆棧，通過超薄的中介層連接兩片晶圓，上下層可以使用不同的材料，兩型晶體管可以獨立優化，大幅提升了密度。

IBM這種Nanostack的技術早在2025年的VLSI國際會議上就提出了，這次是該技術走向了現實。

0.7nm工藝距離真正量產還有段時間，IBM估計的時間是5年內，也就是2031年，不過IBM早在2014年就賣掉了芯片製造業務，能研發技術與真正製造出來有很大距離。

台積電、Intel及三星也在研發自己的0.7nm工藝，不太可能使用IBM的技術，但日本的Rapidus公司是靠IBM技術授權的，他們明年的目標是量產2nm工藝，距離IBM首發2nm過去了7年時間。

按照IMEC之前預測的路線圖，業界生產0.7nm工藝的時間表是2034年，所以IBM估計5年量產還是偏樂觀了，考慮到1nm之後的難度提升，再加上還需要High NA EUV光刻機，成本也會很高，不會那麼快量產的。