以色列芯片製造商Tower Semiconductor當地時間7月14日宣佈，將投資30億美元加強在日本的芯片製造，其中包括來自日本政府的10億美元撥款。聲明稱，第一階段將大幅增加300毫米硅光子器件產能，預計將於2027年第四季度全面投產。該階段包括改造原Fab 6工廠，使其具備300毫米硅光子器件產能和先進封裝能力。第二階段將與第一階段同步啓動，包括在Fab 7工廠旁新建一座300毫米光刻機製造廠。
以色列芯片製造商Tower Semiconductor當地時間7月14日宣佈，將投資30億美元加強在日本的芯片製造，其中包括來自日本政府的10億美元撥款。聲明稱，第一階段將大幅增加300毫米硅光子器件產能，預計將於2027年第四季度全面投產。該階段包括改造原Fab 6工廠，使其具備300毫米硅光子器件產能和先進封裝能力。第二階段將與第一階段同步啓動，包括在Fab 7工廠旁新建一座300毫米光刻機製造廠。
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