SK海力士赴美上市引爆示範效應!三星否認評估ADR發行,存儲芯片板塊迎抄底良機?

智通財經網
07/14

7月14日,繼存儲芯片巨頭之一的SK海力士以每份149美元完成265億美元美股市場ADR發行之後,有消息稱韓國另一存儲巨無霸三星電子似乎也醞釀通過美國股票發行籌集鉅額資金以及打破所謂的「韓國科技公司估值折價」。然而,三星電子的一名代表卻表示,目前並未評估發行美國存託憑證的可能性。

此前,有媒體援引知情人士透露的消息報道稱,三星電子正處於研究潛在美國存託憑證發行(即美股ADR)的早期階段。

知情人士表示,這家韓國公司已與銀行展開初步討論,但尚未決定是否推進。由於相關商議屬於非公開事項,知情人士要求匿名。他們表示,三星將在作出決定時關注全球存儲芯片股票的劇烈波動。知情人士稱,如果公司推進赴美上市,其龐大的消費電子業務組合以及反覆發生的勞資糾紛,可能會給交易結構設計帶來重大挑戰。

他們補充稱,相關討論仍處於非常早期階段,最終可能不會促成上市。

截至周一韓國股市收盤,SK海力士單日創紀錄下跌超15%、三星電子下挫逾10%,並拖累韓國KOSPI基準指數暴跌約9%及觸發暫停交易。周二韓國KOSPI指數,以及佔據該指數50%權重的SK海力士與三星電子股價均實現反彈,在一些持續看好存儲芯片板塊的華爾街分析師們看來,「芯片周期已經見頂」乃無稽之談,他們認為存儲芯片股票逢低買入機遇正在形成,尤其是SK海力士較高位跌近40%。

韓國政府本周表示將AI基建狂潮驅動的存儲芯片繁榮帶來的超額稅收投入半導體、AI數據中心和物理人工智能(即物理AI)等前沿科技領域,則在很大程度上強化了韓國政府對長期AI算力基礎設施建設的大規模政策承諾,有助於穩定與提振圍繞三星電子、SK海力士及全球AI算力產業鏈的資本開支預期,並向市場釋放「AI算力產業周期尚未被政策層判定見頂」的積極信號。

SK海力士265億美元赴美上市引爆示範效應,韓國存儲雙雄或將競相爭奪全球AI資本

據媒體報道,上述知曉內情的知情人士表示,三星過去曾評估發行美國存託憑證的可能性,但最終決定不予推進;不過,SK海力士公司成功在美國股票市場上市並且有望打破所謂的「韓國科技公司估值折價」,為三星重新審視這一構想提供了新的動力。他們表示,儘管如此,相關討論仍處於極其早期階段,目前更多只是評估,而非形成具體計劃或委任銀行負責此次發行。

作為三星在存儲芯片市場的競爭對手,SK海力士上周通過美國上市籌集了265億美元,成為外國企業在美國進行的史上最大規模上市交易。這筆交易反映出投資者對處於全球人工智能算力基礎設施建設核心位置企業的需求,即使市場擔憂人工智能供應鏈估值已經過高,這類企業依然受到追捧。

三星電子在韓國股市的股價今年以來已上漲約120%,推動公司市值突破1萬億美元。相比之下,SK海力士股價同期飆升超200%,市值約為9000億美元。

韓國股市一直由人工智能推動的存儲芯片股強勁上漲所驅動。但極端波動以及對兩家超級權重公司的高度依賴,可能意味着屢創新高的韓國股市是一場等待創紀錄式破裂的AI泡沫。

三星股價的上漲已經計入了極高的盈利增長預期。上周,三星電子公布的初步業績似乎超過市場預期,但其股價仍大幅下跌,凸顯出滿足投資者預期已經變得何其困難。

新增存儲芯片產能即將投產的前景也在壓制芯片股,因為這可能緩解存儲芯片供應緊張,並對價格和利潤率構成壓力。

上個月,三星集團和SK集團表示,雙方計劃各自建設兩座超大型存儲芯片製造工廠,總投資額達到800萬億韓元(大約5360億美元),以迅速擴大產能並滿足不斷增長的需求。韓國政府還宣佈,包括互聯網領軍企業Naver公司在內的企業將投資550萬億韓元,在2029年前建設8.4吉瓦的人工智能數據中心容量。

存儲芯片主題暴跌後迎來抄底良機?

韓國政府將存儲半導體超級周期帶來的稅收超預期收入納入「未來應對基金」,意味着DRAM/HBM/NAND存儲芯片已經從單一企業盈利周期,上升為國家資產負債表和產業政策的核心支柱。2027年稅收收入預計至少達到500萬億韓元,政府擬編制超過800萬億韓元的史上最大預算,並優先支持半導體、AI數據中心和物理人工智能三大超級項目;這將通過電力、土地、研發、人才、先進封裝及區域基礎設施降低三星電子和SK海力士擴產的執行成本,形成「芯片盈利—財政增收—產業再投資—擴大AI供給能力」的正反饋循環。

SK海力士單日下跌超過15%、三星電子下挫逾10%,並拖累KOSPI暴跌約9%及觸發暫停交易,更接近一次由極端倉位、槓桿資金、利好兌現和盈利預期「二階導數」下降共同觸發的估值清算,而非AI服務器訂單突然消失。SK海力士剛完成約260億美元美國存託憑證孖展,上市首日大漲後出現獲利回吐,同時投資者開始審視HBM4出貨節奏、長期協議價格彈性和2027—2028年供給增長;這使其作為HBM純度更高的龍頭,既擁有最大的結構性盈利彈性,也承受最劇烈的預期回撤。

從技術層面來看,此輪暴跌已將SK海力士推入超賣區間,部分分析師認為短期買入機會正在形成,尤其是SK海力士較高位跌近40%。MRM Research資深分析師Nico Rosti表示,SK海力士股價目前呈現"深度超賣"特徵,「再跌一周是可能的,但我們將其視為重大加倉/增持機遇。韓國市場的反彈應會推動ADR更大幅度走高,因此這是一個不錯的買入時機。」這位分析師表示。

在美國銀行、野村等華爾街巨頭以及SemiAnalysis等頂級市場研究機構們看來,這輪全球存儲芯片乃至AI算力基礎設施投資主題股票普遍暴跌更接近極端預期、極端槓桿化倉位與過度擁擠看漲倉位的集中清算,而不是產業需求突然坍塌。SK海力士美國存託憑證上市後的獲利回吐、韓國本土股票與美國存託憑證之間的估值錯位,以及槓桿資金集中平倉,共同放大了價格波動。

供給端似乎繼續支持存儲芯片以及AI算力基建主題中期多頭邏輯。美國銀行最新發布的研究報告顯示,「2028年新增產能僅為原計劃六分之一」,即SK海力士至2028年實際可新增的存儲芯片產能,可能僅為原計劃的六分之一,這一判斷不僅令韓國政府的產能擴張藍圖大打折扣,更為正在進行中的DRAM價格操縱集體訴訟提供了關鍵佐證。這也意味着到2030年的產能增量將遠低於韓國總統李在明此前設定的"2030年產能翻倍"目標。

美銀預判方向與存儲芯片產業規律基本一致:新晶圓廠要經歷土地、電力、潔淨室、設備安裝、客戶認證和良率爬坡,舊產線又會因製程升級退出,實際淨增晶圓產能遠慢於政府公布的投資金額。若新增供給兌現延後,而HBM繼續擠佔通用DRAM晶圓面積,價格周期便可能比傳統存儲周期更長;SK海力士首席執行官也公開預計,2027年可能出現行業史上最嚴重的存儲短缺,HBM/DRAM/NAND存儲芯片需求甚至可能在2030年以後仍顯著高於供給。

SemiAnalysis則預計SK海力士2026年第二季度DRAM綜合平均售價(ASP)將按月大漲約45%,DRAM項目營業利潤將達55萬億韓元,預計公司營業利潤率將達到歷史最高位。SemiAnalysis報告明確指出——「Be Greedy When Others Are Fearful」(當別人害怕時要貪婪),強調儘管近期存儲芯片劇烈波動引發投資者擔憂,SK海力士及其他頭部存儲企業「仍是半導體行業中風險收益比最具吸引力的標的之一」。

野村是目前最激進的看多存儲芯片板塊的大型金融機構。野村在近日發布的一份研究報告中,將三星電子目標價從59萬韓元上調至67萬韓元,將SK海力士目標價從400萬韓元上調至470萬韓元,對應潛在上漲空間均超過100%,意味着2025年以來股價屢創新高的這兩大存儲芯片巨頭狂飆漲勢仍未停歇。

野村的核心看漲邏輯在於,AI已經把存儲從傳統PC/手機周期品改造成數據中心長期成長資產:智能體AI推理需要巨量鍵值緩存(KV Cache),HBM供給顯著落後於需求;其預計全球數據中心資本開支將從去年的1.16萬億美元增至2030年的6.13萬億美元,其中內存佔數據中心投資比重有望從當前9%升至23%,因此三星與SK海力士約6倍12個月前瞻市盈率明顯低估,存在向台積電約20倍估值體系靠攏的重估空間。

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