TradingKey - 當地時間7月15日，全球半導體光刻設備巨頭ASML（ASML）公布2026年第二季度財報，多項核心指標遠超市場預期，並第二次上調全年業績指引，彰顯AI芯片浪潮下的強勁增長勢頭。

與此同時，英特爾宣佈已正式將ASML最新一代High NA EUV光刻設備投入部分處理器的量產，也意味着這一備受關注的新平台開始邁向商業化應用階段。 

業績全面爆發，核心指標遠超市場預期

ASML二季度業績表現堪稱完美，不僅核心財務指標全線超越市場預期，各業務板塊均呈現強勁增長態勢。

其中，淨銷售額從第一季度的87.7億歐元按月增長6.4%至93.3億歐元（約109億美元） ，服務及現場運營銷售額達27.6億歐元，高於預估的24.9億歐元，顯示公司在設備維護升級領域的競爭力持續提升。

毛利率從上季度的53%進一步提升至54%，超出市場預期2個百分點，體現公司在高端設備領域的定價權和成本控制能力。

ASML首席執行官Christophe Fouquet在財報聲明中表示：「我們在第二季度的總淨銷售額和毛利率均高於預期，這一成績主要得益於安裝基礎管理業務的銷售表現好於預期。」

他同時指出，今年上半年公司訂單量依然「極其強勁」，客戶正在加快產能擴張計劃，這為公司提供了「對長期需求更為清晰的可見度」。

ASML大幅上調業績指引

基於強勁的業績勢頭，ASML大幅上調2026年全年業績展望，將淨銷售額預期區間從此前的360億至400億歐元提升至430億至450億歐元，毛利率指引亦從51%至53%提升至54%至56%。

對於第三季度，公司預計淨銷售額將達110億至120億歐元，中值遠高於彭博分析師一致預期的102.7億歐元，毛利率指引區間為55%至57%。

此次上調幅度之大在業內引發廣泛關注，顯示ASML對未來市場需求的高度樂觀。

Fouquet表示：「持續的人工智能基礎設施投資以及AI技術的不斷進步，正在推動先進邏輯芯片和存儲芯片需求的增長。我們的客戶正在加快擴大產能計劃，這轉化為客戶對我們全線產品的訂單承諾，使ASML能夠更清晰地預判長期需求。」

在業績強勁增長的同時，ASML也持續回報股東。財報顯示，第二季度公司根據2026–2028年股票回購計劃，購買了價值約11億歐元的股票。同時，公司宣佈派發每股普通股1.88歐元的中期股息，將於2026年8月5日支付。

產能加速擴張，2027年低NA EUV產能提升30%

面對持續增長的市場需求，ASML同步公布了未來數年的擴產計劃。 公司表示，計劃在2026年約65台低數值孔徑EUV設備產能的基礎上，於2027年增加約30%，並正在研究2028年再增加30%的可能性。

同時，ASML還計劃將2026年約130台深紫外（DUV）浸沒式光刻系統的產能於2027年提升30%，2028年的進一步擴產方案亦在評估之中。

這一產能擴張路徑表明，ASML對半導體設備需求的持續性持樂觀判斷，並正為未來幾年可能進一步提速的技術迭代周期預留供給空間。

此外，ASML還計劃於本季度在埃因霍溫動工建設一個新園區，該設施最終將具備容納2萬名員工的規模，進一步提升公司的研發和生產能力。

半導體行業迎來新一輪擴張周期

ASML業績的強勁表現，背後是全球AI芯片需求的爆發式增長。

隨着微軟、Alphabet等科技公司競相投入數千億美元構建先進AI基礎設施，芯片製造商紛紛擴大產能以滿足需求。作為全球唯一能夠生產極紫外（EUV）光刻機的企業，ASML成為這一浪潮的最大受益者。

本周早些時候，ASML最大的客戶之一台積電公布了6月份的銷售數據，受芯片需求強勁推動，其銷售額按年激增68%。

據路透社報道，台積電還計劃在中國台灣南部嘉義科學園區新增兩座先進封裝廠。瑞銀分析師在7月10日的研究報告中指出，半導體晶圓廠的產能建設，以及AI驅動的先進製程芯片需求，預計將推動ASML下半年表現持續走強。

儘管半導體板塊仍面臨投資者對AI驅動的鉅額資本支出可持續性的質疑，以及日益收緊的出口管制限制，但ASML憑藉其在高端光刻設備領域的壟斷地位，依然保持強勁的增長勢頭。

Fouquet表示，公司將在2027年6月10日舉行的下一次資本市場日活動中，根據市場和技術方面的變化，更新長期預測。

英特爾開啓High-NA EUV商業量產

除業績表現外，ASML此次還公布了一項具有行業意義的重要進展。

公司與英特爾（INTC）聯合宣佈，英特爾已在俄勒岡州工廠利用ASML的EXE High-NA EUV設備製造部分Ultra 3（獵豹湖）筆記本處理器。

High NA EUV被認為是下一代先進光刻技術的重要方向，其數值孔徑進一步提升，可支持更小尺寸晶體管制造。

High-NA EUV設備單台價格約4億美元，約為標準EUV機台的兩倍，且技術導入難度較高，此前市場對其商業化前景存在疑慮。

事實上，英特爾早在2024年便接收全球首台High NA EUV設備，並率先完成研發安裝，此次則進一步推進至實際量產應用。 

英特爾芯片製造部門執行副總裁兼總經理Naga Chandrasekaran在聯合聲明中表示：「這一里程碑體現了英特爾與阿斯麥之間緊密的技術合作，展示了High-NA EUV如何在先進半導體制造中實現規模化集成。」

此次英特爾採用High-NA EUV技術，不僅有助於緩解市場對該技術商業化前景的疑慮，也為ASML推廣該產品線提供了積極的示範效應。

此前，台積電曾公開表示，最新一代ASML設備成本過高，無法用於大規模量產，將推遲轉向該技術的時間節點。

而英特爾此次率先將High-NA EUV技術應用於量產，顯示其在先進芯片製造領域的決心和技術實力，也為ASML的High-NA EUV設備打開了市場空間。

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