快科技8月2日消息，據媒體報道，英特爾正全力推進俄亥俄州大型晶圓廠園區的建設，目標是在2031年實現全面運營。為加速這一長期計劃的落地，公司正為員工提供高額加班獎金，以激勵工程進度。

該園區佔地約1000英畝（約405公頃），將用於生產英特爾「埃米時代」的製程節點，包括18A和14A工藝。按計劃，園區將於2031年實現14A工藝的大規模量產。

與此同時，英特爾的EMIB-T先進封裝技術也取得重要進展，目前唯一懸而未決的關鍵瓶頸在於基板良率。

EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）技術通過在有機基板中嵌入微型硅橋，在單個處理器封裝內連接多個芯粒。該方案僅在芯粒與硅橋相連的邊緣區域佈置高密度微凸點，從而實現高速互連。而EMIB-T則進一步引入貫穿硅橋的硅通孔（TSV），這些垂直通道可直接從封裝底部向堆疊的處理器或內存傳輸電力與高速信號，支持三維芯片堆疊。

值得注意的是，EMIB-T的成本較台積電CoWoS方案低約50%。英特爾預計於2027年大規模提供EMIB-T封裝服務，目前該技術的封裝良率已接近90%，但基板良率仍停留在約50%，成為產能擴展的主要障礙。

EMIB-T所用基板包含三層關鍵結構：基礎有機基板面板，由Ibiden（核心供應商）、Shinko、Unimicron和AT&S等廠商製造，面板內設有精密凹槽以安置硅橋；覆蓋於硅橋上方的介電層堆疊，採用業界標準的味之素積層膜（ABF）；以及內含TSV的硅橋本身，用於垂直信號與電力傳輸。

目前基板環節拖慢了EMIB-T的大規模封裝服務進度。供應商Unimicron近期表示，EMIB-T仍處於早期發展階段，當前工作重心是快速提升產能並改善良率。