英特爾(INTC)盤中漲逾9% 市傳其EMIB-T先進封裝技術良率已接近90%

金吾財訊
08/04

金吾財訊 | 英特爾(INTC)盤中拉升9.30%,最新報99.46美元,成交額35.95億美元。消息面上,市傳英特爾正全力推進俄亥俄州大型晶圓廠園區建設,目標在2031年實現全面運營,為加速工程落地,公司向員工提供高額加班獎金以推進建設進度。該園區佔地約1000英畝,將生產英特爾「埃米時代」的18A和14A製程節點,計劃2031年實現14A工藝的大規模量產。同時,英特爾EMIB-T先進封裝技術取得重要進展,其成本較台積電CoWoS方案低約50%,英特爾預計2027年大規模提供該封裝服務,目前該技術封裝良率已接近90%,但基板良率僅約50%,成為產能擴展的主要障礙,相關供應商正着力提升對應產能與良率。還值得一提的是,英特爾近日宣佈將2026年資本支出由原先約170億美元大幅提高至逾200億美元,並預告2027年將持續增加投資。高盛對此研究指,此舉代表英特爾正全面押注先進製程、先進封裝、AI服務器需求及晶圓代工業務的長期成長,正式開啓新一輪大型資本支出周期。高盛維持對英特爾「中性」評級及150美元目標價,認為短期營運明顯改善,但長期轉型仍有多項挑戰待克服。

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