8 月 5 日鎧俠(Kioxia)與閃迪(Sandisk)在 Future of Memory and Storage

智通財經
08/05
8 月 5 日鎧俠(Kioxia)與閃迪(Sandisk)在 Future of Memory and Storage Conference(FMS)上正式發布最新 BiCS10 3D QLC NAND 閃存芯片號稱目前全球已正式推出的最高存儲密度 3D NAND 產品。據介紹該芯片採用 332 層堆疊結構單位面積存儲密度達到 37 Gb/mm²搭載最高 4800 MT/s 高速接口並支持獨立命令地址(SCA)功能主要面向高容量數據中心級 SSD 市場。相比此前兩家公司推出的 BiCS10 3D TLC NAND 產品其存儲密度超過 29 Gb/mm²新款 QLC NAND 進一步提升了數據中心存儲容量密度。業內預計在採用相近芯片尺寸和存儲單元數量的情況下該芯片容量可能達到約 1.33Tb但廠商尚未公布具體容量規格。為滿足數據中心對高性能與低功耗的需求鎧俠與閃迪還引入低功耗隔離低抽頭終端(PI-LTT)技術在提升高速信號完整性的同時降低輸出驅動功耗。兩家公司表示基於最新 BiCS10 製程工藝新一代 QLC NAND 不僅實現更高位密度也有望在產能爬坡後降低製造成本從而支持更高容量 SSD 以更具競爭力的價格進入市場。

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