當全球投資者為英偉達財報狂歡，一個清晰的產業信號浮出水面：AI基礎設施的瓶頸已全面向存儲端轉移。

　　英偉達管理層明確指出，內存漲價已經超出此前的預期，供應瓶頸至少會持續到2028財年年底。

　　TrendForce的一份預測數據更為直觀：到2027年，DRAM與NAND Flash佔全球雲服務商總資本開支的比例，將從2026年的47%，進一步攀升至68%。

　　也就是說，雲廠商每投出1億元AI基建預算，就有近7成流向存儲鏈。當內存短缺已成為制約雲服務巨頭毛利率的關鍵因素，存儲芯片正式從算力的「配套設施」向「AI戰略硬通貨」轉變。

　　作為本輪芯片超級行情的起點，下半年以來全球存儲板塊劇烈波動，多空博弈明顯。如今看來，這輪超級周期或遠未結束。

　　「需求快變、供給慢變」的天然錯配

　　據SEMI《WorldFabForecast》及三星、SK海力士、美光歷年公開項目建設時間表，一座新建12英寸存儲晶圓廠從土建動工到實現穩定量產通常需要24-36個月；即便在既有廠區內進行產線改造或製程轉換，從設備搬入到良率爬坡完成也需12-18個月。產能投放以「年」計。

　　而需求變化是以「季度」計（企業合約），兩者之間存在天然時差。走完「價格信號→渠道庫存→原廠產能決策→有效產能變化」的全鏈條，通常時滯長達兩年以上。

　　對於存儲廠商而言，當需求遠超供給，這意味着一個非常關鍵的東西：定價權。顯然本輪AI算力基礎設施建設驅動的需求量級，遠超行業傳統認知邊界。2025年下半年以來，存儲合同價格出現驚人的上漲。

　　TrendForce數據顯示：

　　• 服務器DRAM：2025年下半年合同價格累計上漲64%，2026年預計再漲約270%；

　　• 企業級SSD（NAND Flash）：2025年下半年價格上漲約35%，2026年預計累計上漲235%；

　　• HBM：2027年合同價格仍可能上漲70%至140%。

　　從強周期商品到高壁壘成長股的蛻變

　　過去幾十年，存儲作為周期性板塊，一直遵循着典型的商品供需邏輯。在傳統周期中，下游需求的脈衝式增長往往引發產能的盲目擴張，隨後在需求回落時導致供過於求，價格暴跌，行業進入漫長的去庫存和產能出清階段。這一傳統的歷史規律正在被打破。

　　首先，AI 大模型的訓練、推理、多模態數據處理都伴隨參數與數據在計算單元與存儲單元之間的高頻搬運，存儲越來越成為影響計算性能的核心組件。更重要的是，AI需求正從大模型訓練端向推理端延伸，存儲需求從「一次性投入」轉向「長期持續性的算力基礎設施投入」。這使本輪存儲超級周期與以往的階段性景氣周期有着本質差異。

　　其次，供給端產能集中向高端HBM傾斜，導致常規DRAM產能受到擠壓；疊加設備、材料等核心配套資源的供不應求，技術迭代對有效供給的邊際調節等，供給端的多重約束導致緊缺格局短期難以緩解。

　　此外，商業模式也在發生迭代，長協鎖定帶來極高的業績確定性，三星、SK海力士和美光已完成2027年全年產能分配，美光手握16份長期戰略合作訂單，其中14份保底收入超千億元。

　　由此，基於長期結構性緊缺與技術的不可替代性，與其談內存漲價能持續多久，不如正視存儲已轉型成為高壁壘的成長板塊。

　　國產存儲機會如何？

　　全球存儲產業格局重塑的過程，恰逢中國存儲從技術突破走向規模化量產的歷史性窗口。按2025年第四季度DRAM銷售額統計，長鑫存儲的全球市場份額已增至7.67%，位列全球第四。Counterpoint Research的NAND存儲市場追蹤報告顯示，2026年一季度，長江存儲的全球市場份額躍升至13%。通用存儲市場，國內廠商已進入全球前列，但在 HBM高端賽道上，國內仍存明顯代差，需要時間追趕。

　　海外大廠的產能向HBM傾斜的趨勢短期內不會逆轉，長鑫科技的DDR4、DDR5、LPDDR5X產品已實現全系列量產，LPDDR6已完成核心客戶送樣，規劃2026年下半年量產導入，正好承接了海外大廠讓出的中端通用DRAM市場。

　　與此同時，AI算力配套存儲產品已納入信創採購目錄，政企服務器存儲的國產化替代空間高達千億級。在國家大基金三期及各項產業政策的護航下，以長鑫科技、長江存儲為核心的本土存儲產業鏈正加速突圍。長鑫科技已拿下字節跳動、騰訊、阿里雲等百億級長期訂單；長江存儲企業級SSD正在加速切入國內智算中心供應鏈。

　　三條主線

　　存儲超級周期的溢出效應正沿着整個產業鏈全面擴散，綜合券商觀點，有三大核心主線。

　　① 具備高端存儲接口設計能力、或成功切入頭部雲廠商供應鏈的存儲原廠和模組廠商；

　　② 直接受益於訂單放量的高端存儲專用設備企業；

　　③ 先進封測與特種材料廠商。

　　瑞銀表示，中國存儲廠商在DRAM技術節點上有差距，但國際市場份額將會明顯持續提高，數據中心領域國產替代非常明顯。國內半導體設備特別是前道及後道檢測設備將優先受益於存儲產能擴張。另外，成熟製程供需格局良好，產能利用率高，價格處於上升周期，也將支撐國產晶圓廠淨利潤率明顯回升。*

　　相關ETF：

　　科創芯片ETF華寶（589190）被動跟蹤上證科創板芯片指數，全鏈佈局芯片產業，存儲、半導體材料與設備含量分別為49.95%，30.57%（截至2026.8.26），能夠有效映射 AI 算力基礎設施持續升級所帶來的產業發展趨勢。硬科技含量高，進攻性強，20CM高彈性。場外投資者可以關注聯接基金021225。

　　數據來源：滬深交易所等。

　　注：存儲芯片含量是的對標指數為存儲芯片指數（980138.CNI），截至8月26日，權重佔比為49.95%。

　　機構觀點來源：瑞銀證券20260827《國產存儲廠商出貨量全球佔比將持續提高》。

　　ETF費用相關說明：投資者在申購或贖回基金份額時，申購贖回代理機構可按照不超過0.5%的標準收取佣金，其中包含證券交易所、登記機構等收取的相關費用。聯接基金費用相關說明：華寶上證科創板芯片ETF聯接A申購費率（前收費）為申購金額200萬元（含）以上時1000元/筆，100萬元（含）~200萬元時0.2%，100萬元以下時0.5%；贖回費率為持有天數7日以下時1.5%，持有天數7日（含）以上時0%。華寶上證科創板芯片ETF聯接C不收取申購費，贖回費率為持有天數7日以下時1.5%，持有天數7日（含）以上時0%；銷售服務費為0.2%。

　　風險提示：科創芯片ETF華寶（589190）及其聯接基金被動跟蹤上證科創板芯片指數，該指數基日為2019.12.31，發布日期為2022.6.13。上證科創板芯片指數近5個完整年度升跌幅為2021年 6.87%，2022年 -33.69%，2023年 7.26%，2024年 34.52%，2025年 61.33%。上證科創板芯片指數近5個完整年度波動率為2021年 34.32%，2022年 36.60%，2023年 28.64%，2024年 44.67%，2025年 34.34% 。指數成份股構成根據該指數編制規則適時調整，其回測歷史業績不預示指數未來表現。本產品由華寶基金發行與管理，代銷機構不承擔產品的投資、兌付和風險管理責任。投資人應當認真閱讀《基金合同》、《招募說明書》、《基金產品資料概要》等基金法律文件，了解基金的風險收益特徵，選擇與自身風險承受能力相適應的產品。基金管理人評估的該基金風險評級為R4-中高風險，適合適當性評級C4及以上投資者。基金管理人管理的其他基金業績不構成基金業績表現保證。基金過往業績不預示其未來表現，基金有風險，投資須謹慎！銷售機構（包括基金管理人直銷機構和其他銷售機構）根據相關法律法規對本基金進行風險評價，投資者應及時關注基金管理人出具的適當性意見，各銷售機構關於適當性的意見不必然一致，且基金銷售機構所出具的基金產品風險等級評價結果不得低於基金管理人作出的風險等級評價結果。基金合同中關於基金風險收益特徵與基金風險等級因考慮因素不同而存在差異。投資者應了解基金的風險收益情況，結合自身投資目的、期限、投資經驗及風險承受能力謹慎選擇基金產品並自行承擔風險。中國證監會對本基金的註冊，並不表明其對本基金的投資價值、市場前景和收益做出實質性判斷或保證。基金有風險，投資須謹慎。