英特爾14A（1.4納米級）製程的缺陷密度下降速度超出公司預期，創下22納米以來最佳表現。CFO David Zinsner在德意志銀行2026年科技大會上稱，"自22nm以來從未見過這樣的表現"。

14A計劃2027年下半年風險量產，2028年進入大規模量產。距投產尚有約兩年，客戶端已出現實質性變化：英特爾內部設計團隊開始在14A上開發產品，外部代工客戶從評估技術數據轉向詢問產能分配。

對標22納米：好消息與三重限定

"14A的缺陷密度優於我們設定的目標曲線，缺陷下降速度也優於此前任何節點。自22納米以來，我們沒見過這種表現——而22納米可以說是英特爾推出過的最好製程之一。"Zinsner在會上表示。

22納米是英特爾首個FinFET製程，推出時領先全行業——競爭對手直到2014至2015年的14/16納米節點纔跟進。Ivy Bridge處理器2012年上市後大獲成功，22納米為英特爾CPU產線服務至2016年，之後繼續用於其他產品線。

但Zinsner的比較有嚴格邊界。他對標的是14A在距量產約兩年時的缺陷下降軌跡，與22納米在約2010年同期階段的表現，而非兩代工藝絕對缺陷水平的直接比較。同時，16年間晶圓檢測設備的進步已改變了"缺陷"的計量口徑，而缺陷密度本身也不直接等同於良率。

14A的工藝複雜度讓這組數據更有看頭：第二代環柵（GAA）RibbonFET晶體管、第二代背面供電PowerDirect、High-NA EUV光刻，技術難度遠超22納米。在這樣的工藝組合下仍能快速壓低缺陷密度，放在英特爾近年的製程記錄中格外突出——此前，14納米因良率不足推遲一年，初代10納米失敗，20A取消，18A量產時缺陷仍偏高，Intel 4和Intel 3幾乎未公開過進展。

客戶：從"看數據"到"要產能"

Zinsner透露，英特爾內部設計團隊已在14A上開發產品。他稱這群內部客戶"大概是所有人裏最挑剔的"，"他們選擇在14A上設計產品，對我們也是很大的信心提振。"

外部代工客戶的態度也在發生質變。據Zinsner介紹，CEO陳立武和團隊目前每周與客戶會面，"客戶已從看數據，轉向了'我能拿到多少產能？供應節奏怎麼安排？'我們現在對14A的外部客戶也有了確信（conviction）。"

14A距大規模量產仍有約兩年。英特爾方面表示，該節點有望像22納米一樣，成為一個長壽製程。