TradingKey - 亞太時間8月31日，據韓國《首爾經濟日報》報道，三星電子正在按照英偉達（NVDA）的要求開發8層HBM4E，目標速度為17至18Gbps/Pin，較此前三星初期HBM4E樣品14.4Gbps的速度提升約20%，該產品將用於NVHBM。截至發稿，三星官方尚未就此消息置評。

受HBM4E開發消息提振，三星電子午後由跌轉漲。早盤時段，受聯儲局加息信號、美國芯片關稅風險及韓國槓桿產品保證金上調新政等因素衝擊，韓國股市整體低開，三星電子一度跌逾4%至24.6萬韓元（約合179美元）。

午後消息傳出後股價反彈翻紅，截至收盤報26萬韓元，小幅收漲1.17%。

【來源：TradingView】

英偉達此次要求三星採用8層HBM方案，放棄了此前規劃的12層和16層。層數減少降低了晶圓薄化和堆疊封裝的後端工藝難度，有利於提升良率、擴大產能。市場普遍認為，這是英偉達應對HBM供應緊張的策略。

8月26日，英偉達正式發布NVHBM，這是面向採用NVLink Fusion平台的定製AI芯片客戶推出的HBM方案。

該方案將內存控制器從主芯片移至HBM堆棧的基片之中，與標準HBM4E方案相比，帶寬最高提升30%、功耗降低15%，並使主芯片可用計算面積最多增加25%。亞馬遜（AMZN）旗下Annapurna Labs是首家合作伙伴。

NVHBM這類定製化產品需要同時具備DRAM芯片和邏輯基底芯片的設計生產能力。而三星同時擁有DRAM製造與晶圓代工業務，可在內部完成HBM DRAM 晶圓和邏輯基底的生產，因此被業內視為參與定製HBM競爭的關鍵供應商之一。

不過，開發階段的合作與量產訂單落地是兩回事。三星配合英偉達開發8層HBM4E，並不意味着已經獲得NVHBM批量供應合同。目前公開信息中，雙方具體的供貨規模與時間表均未披露。

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