摩根士丹利指出，中國儲存廠商的崛起不能單純視為技術追趕或低價替代，真正值得關注的是其產能規模可能逐漸大到足以改變全球存儲器市場的供給結構。長鑫科技與長江存儲目前正從主流產品市場切入，並逐步向HBM、高階服務器DRAM及企業級SSD等高利潤市場延伸。 大摩將2028年視為觀察全球存儲器競爭格局的重要時間點。2026至2027年，AI服務器需求、HBM對先進晶圓的產能排擠、進口替代，以及客戶認證所需時間，都可能吸收中國存儲器廠的大部分新增供應。到了2028年，隨着中國儲存廠商擴產，三星、SK海力士與美光先前啓動的擴產也將陸續釋出產能。屆時，全球存儲器市場的供給變量將大幅增加。 大摩預估，長鑫DRAM月產能將由2025年的18萬片晶圓，增加至2026年的30萬片，約佔全球DRAM晶圓產能13%、位元出貨量約11%；到2028年進一步提升至50萬片，2031年則可能達到80萬片。若擴產順利，長鑫到2030年的全球DRAM位元出貨市佔率可能接近15%，甚至有機會在2028年前後以產能規模超越美光，成為全球第三大DRAM供應商。