【三星正為英偉達開發8層HBM4E】據韓國媒體報道，三星電子正配合英偉達要求開發8層第七代高帶寬存儲器，較原計劃的12層、16層方案顯著降低堆疊高度，英偉達提出的速度規格為17-18Gbps，較三星初期HBM4E 14.4Gbps的樣品速度高出約20%，該產品據報將用於NVHBM。
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