三星電子計劃將下一代高帶寬存儲器（HBM）HBM5的性能提升至HBM4E的2倍，而後續一代產品zHBM的性能目標則達到HBM4E的8倍。三星將以3D結構創新為核心，爭奪下一代存儲器市場的主導權。

　　三星電子DS部門存儲器事業部產品企劃團隊負責人崔長錫1日公布了三星下一代存儲器戰略。

　　三星電子目前正在開發HBM5，目標是相比HBM4E將性能提升2倍、每瓦性能提升20%，同時將熱阻降低20%，以滿足AI芯片對高性能和低功耗的需求。

　　面向HBM5之後的zHBM，三星計劃進一步提升性能。三星提出的目標是，zHBM相比HBM4E性能提升8倍、每瓦性能提升3倍，同時將熱阻降低75%至90%。

　　針對大語言模型（LLM）所需的大容量存儲器需求，三星還在推進zNAND-O的開發。zNAND-O的目標是在比特密度達到DRAM 10倍的同時，將讀取帶寬和能效分別提升至NAND的7倍。三星計劃於2028年開始zNAND-O的樣品供應。

　　三星電子將上述下一代存儲器技術開發方向具體概括為「CUBE」戰略。

　　CUBE分別代表Capacity（容量）、Utilization（利用率/優化）、Bandwidth（帶寬）和Efficiency（功耗與熱效率）。其核心並非單純進行存儲器垂直堆疊，而是利用3D結構，同時提升容量、帶寬以及功耗和熱效率。

　　三星電子計劃從通用DRAM、NAND，到HBM、企業級SSD，再到下一代zHBM和zNAND-O，擴大產品陣容，進一步強化其在AI存儲器市場的主導地位。

　　崔長錫表示：「3D技術的最終目標，是降低移動單個比特數據所需的能量。」他強調，三星正在通過提高結構效率，最大限度提升每瓦性能。

　　SEMICON Taiwan是由國際半導體產業協會（SEMI）主辦的全球半導體行業活動，將於2日至4日舉行。

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