HBM的競爭，正在悄悄換戰場。過去幾年，市場談論HBM，關注的幾乎都是SK海力士、三星和美光：誰的DRAM製程更先進，誰能堆到12層、16層，誰的TSV和封裝良率更高，以及誰最終進入英偉達的供應鏈。

但到了HBM4和HBM4E，這門生意里正在出現一批過去並不顯眼的新角色——晶圓代工廠。

近日，據韓媒及DIGITIMES等報道，SK海力士正在考慮將Intel Foundry引入HBM4E供應鏈，作為HBM Base Die的第二代工來源，以降低對台積電的依賴並改善供應彈性。無論Intel最終能否拿下訂單，背後透露出的產業變化已經非常清晰：從HBM4開始，一顆HBM已經越來越離不開先進邏輯製程。

真正改變遊戲規則的，是HBM最下面那顆過去不太受關注的芯片——Base Die。

HBM越來越不像內存了

要理解為什麼HBM會變成晶圓代工生意，必須先看HBM4這個關鍵的技術分水嶺。

在HBM3E及更早的技術代際中，HBM的結構相對清晰：上層是多層DRAM堆疊（Core Die），最底下是一顆 Base Die。過去，這顆Base Die主要承擔物理支撐、TSV（硅通孔）過孔引出以及基礎的信號路由。由於功能單一，像存儲三巨頭（SK海力士、三星、美光）用自家的10nm級DRAM工藝就能順手把它做了。

但HBM4發生了一些重要變化。

一方面，接口密度物理翻倍。HBM4的總線接口寬度從1024-bit直接翻倍至2048-bit，在此基礎上，英偉達在Rubin平台上更將單Pin速率拉高至 11Gbps 以上。要在極其微小的芯片面積內擠入翻倍的 TSV 和 PHY（物理層）電路，傳統 DRAM 節點的佈線密度和金屬層數已觸及物理極限。

另一方面，邏輯功能深度下沉。為了追求極致的能效與超低延遲，GPU 與 ASIC 廠商開始要求將存儲控制器、DFT（可測試性設計）電路，甚至是特定算法的計算模塊直接集成到 Base Die中。

SK海力士在官網中也寫道，「在HBM4中，邏輯芯片的作用日益凸顯。HBM4的研發方向是提升基礎芯片的性能，增強HBM堆疊與邏輯芯片之間的連接性，同時降低功耗。」

Base Die已經開始從一顆相對簡單的芯片，變成一顆複雜的Logic Base Die。這就撞上了存儲原廠的工藝壁壘：存儲原廠的Fab基本不具備生產高性能邏輯芯片的12nm、5nm乃至更先進工藝線，兩者並不是同一種製造邏輯。因為DRAM製造追求的是存儲單元密度和成本，而複雜邏輯電路需要的是邏輯晶體管性能、佈線密度以及先進EDA設計能力。

當越來越多邏輯被放進這顆「內存」時，一門過去屬於存儲廠商的生意，也正在悄悄變成一門晶圓代工生意。於是，晶圓代工廠開始登場。

2024年，SK海力士與台積電宣佈合作開發HBM4。當時雙方給出的表述其實已經非常耐人尋味——要建立一種由IC設計公司、晶圓代工廠和存儲廠商組成的三方合作模式。雙方合作的第一個目標，就是Base Die。

在HBM3E以前，SK海力士的Base Die基本自己生產；從HBM4開始，則引入台積電先進邏輯工藝。這實際上改變了HBM延續多年的產業分工。以前一顆HBM的主要構成是DRAM製造 + TSV + 堆疊封裝。而現在越來越接近：DRAM Core Die + Logic Base Die + Foundry + TSV + Advanced Packaging。

HBM由一顆「特殊的存儲器」，越來越像一個小型的Chiplet系統。

定製化HBM的時代加速到來

隨着Base Die的邏輯化，HBM正在從過去的標準件邁向定製化。

在今年的台積電技術論壇上，SK海力士透露：未來將通過採用台積電先進邏輯工藝的Base Die，把HBM從標準化產品進一步推向Custom HBM，並加強Memory與Logic的融合。同時在硅谷，SK 海力士已被爆出正在組建專門的 HBM 架構設計團隊，其招聘崗位要求不僅覆蓋傳統 DRAM，還強制要求具備數字設計、PDN（電源分配網絡）以及 3nm 以下 Foundry 先進工藝經驗。

這已經越來越不像一家傳統存儲公司的工作方式，反而越來越像一家ASIC公司。

在SK海力士的HBM4之後的產品路線圖中，HBM4E 和定製 HBM 被列為關鍵發展方向。SK海力士的iHBM解決方案是一種面向下一代HBM產品的散熱管理技術，旨在提升其在高密度、高帶寬環境下的運行穩定性和效率。

（圖源：SK海力士）

驅動這一變革的核心力量，來自於下游 AI 芯片巨頭對「打破存儲牆」的渴望。

所謂Custom HBM，本質上已經開始從「定製內存」，走向Memory-Compute Co-design。這也改變了HBM產業最重要的一層關係。過去存儲廠商主要做標準產品。三星、SK海力士、美光按照JEDEC標準開發DDR、LPDDR或者HBM，然後賣給客戶。

但AI芯片完全不同。英偉達、AMD、Google、Amazon、Microsoft以及越來越多自研ASIC的雲廠商，對Memory Bandwidth、功耗、接口和封裝面積的要求都不一樣。標準化HBM開始越來越難滿足所有客戶。因此HBM正在向ASIC非常熟悉的一套商業模式靠近：共同定義規格——共同設計——Foundry流片——先進封裝——客戶驗證。

真正將這一趨勢推向高潮的，是英偉達。8月26日，英偉達公布了一項名為NVHBM的新技術。在傳統 AI 硬件架構中，內存控制器通常佔據着GPU或XPU計算核心內部極其寶貴的先進製程面積。而在 NVHBM 中，英偉達直接做了一次大膽的「乾坤大挪移」：將內存控制器從GPU內部拔出，直接塞進HBM的Base Die中。

據英偉達公布的數據，相比標準HBM4E，NVHBM 最高可帶來 30% 的內存帶寬提升 和 15% 的功耗下降，同時能直接釋放最多 25% 的 XPU 計算核心面積。Amazon 旗下的 Annapurna Labs 已成為首批參與該架構研發的芯片設計團隊。

NVHBM與標準HBM相比，芯片面積節省的比較

（圖源：英偉達）

這遠遠超過一次普通的HBM規格升級。因為HBM和GPU之間原本相對清晰的邊界，正在變得模糊。過去是GPU負責計算，HBM負責存儲。未來可能變成：GPU + Logic Base Die + DRAM共同組成計算系統。Memory Controller只是第一步。理論上，未來還可能有更多與數據移動、地址映射、緩存管理甚至特定計算相關的邏輯被遷移到Base Die。

三大HBM廠商，三種代工選擇

目前三星、SK海力士和美光實際上已經走出了三種不同的路線。

SK海力士選擇的是最典型的專業化分工。自己負責DRAM Core Die和HBM技術，再把先進Logic Base Die交給台積電等Foundry生產。據TrendForce援引韓媒近期報道，SK海力士量產HBM4採用的Base Die來自台積電12nm級製程；而未來HBM4E隨着邏輯複雜度進一步提高，業界甚至已經討論向更先進節點遷移。

與此同時，由於先進邏輯Base Die的成本快速提高，SK海力士也被曝正在考慮Intel Foundry作為潛在第二來源。

三星則恰恰相反。三星同時擁有Memory和Foundry，因此從一開始就選擇了更徹底的垂直整合路線。三星今年量產的HBM4使用1c DRAM Core Die，同時Base Die直接採用自家Foundry的4nm邏輯工藝。HBM4E也延續了1c DRAM + 4nm Logic Base Die組合。三星甚至已經規劃，在後續HBM產品中將Base Die推進至2nm工藝。

過去三星同時經營Memory和Foundry經常被認為體系龐雜，但在Custom HBM時代，這種模式反而可能產生新的協同優勢。因為一顆HBM所需要的DRAM、Logic、先進封裝，三星理論上全部可以內部完成。

第三條路線來自美光，它也在從自主開發走向代工擁抱。美光早期HBM4仍強調內部開發和製造CMOS Logic Base Die，但到了HBM4E，其策略已經明顯改變。美光在投資者材料中明確表示，HBM4E無論標準版還是定製版Logic Base Die，都將與台積電合作生產，而且公司預計，採用Customized Base Logic Die的HBM4E毛利率將高於標準產品。

這一點很關鍵。因為它說明HBM廠商自己也開始承認：未來HBM最大的附加價值之一，可能不再只是DRAM，而是Base Die裏的定製邏輯。

對於晶圓代工廠而言，HBM 的變革意味着巨大的新增量。

在過去 AI 服務器產業鏈中，代工廠（以台積電為代表）牢牢佔據着兩個價值最高的金礦：GPU/ASIC邏輯芯片代工 + CoWoS 先進封裝。而現在，第三個金礦正在形成——HBM邏輯Base Die。

當然，與GPU相比，HBM Base Die的晶圓需求規模仍然不是一個量級。但它的重要性在於：每增加一顆HBM，就增加了一顆Logic Die。高端AI加速器通常單顆掛載6至8顆HBM，疊加HBM4/4E時代Base Die向12nm、5nm甚至更先進節點遷移，晶圓代工廠在整個 AI 內存系統中的價值佔比將被呈指數級放大。

隨着HBM從HBM4進入HBM4E、Custom HBM，Base Die製程越來越先進、面積越來越大、邏輯越來越複雜，單顆HBM中屬於Foundry的價值量也會隨之增加。

這也是Intel為什麼可能有機會重新進入這場競爭。Intel Foundry如果直接爭奪英偉達、AMD等頂級GPU的主Compute Die訂單，難度極高。但HBM Base Die可能是一個完全不同的切入口。它需要先進邏輯製造能力，卻不像GPU那樣承擔整個系統計算核心的風險；與此同時，SK海力士等存儲廠商又有降低供應集中度和成本的動力。

對於Intel而言，這可能是一塊比直接挑戰台積電先進GPU代工更現實的增量市場。

寫在最後

過去幾十年，存儲產業最典型的商業模式是標準化。產品越標準，規模越大，成本越低。無論DRAM還是NAND，廠商競爭的大部分時間都圍繞製程、容量、良率和成本展開。然而，AI正在打破這一邏輯。HBM4把Logic Base Die帶入先進製程，HBM4E繼續提高Base Die複雜度，而NVHBM又進一步把Memory Controller直接塞進HBM。沿着這條路線繼續向前，HBM很可能越來越難被簡單定義為「內存」。它會逐漸變成一種：由DRAM、Logic、連接和先進封裝構成的Memory System。

於是HBM產業的競爭也正在發生改變。過去是SK海力士vs三星vs美光，未來更可能變成：存儲廠商 + 代工廠+ AI芯片廠商 + 先進封裝之間的組合競爭。看似只是SK海力士考慮給Intel Foundry一筆Base Die訂單，背後的意義其實遠比一張代工訂單更大。它意味着晶圓代工廠的邊界，又向AI系統內部推進了一步。

繼CPU、GPU、ASIC之後，下一塊進入先進邏輯Foundry體系的芯片，可能正是過去一直被視為存儲器一部分的HBM Base Die。HBM還是內存，只是從HBM4開始，它已經越來越像一顆芯片系統。

HBM的下半場，戰爭的爆發點不在DRAM本身，而在那顆沉在最底部的Base Die。