TradingKey - 英特爾（INTC）晶圓代工業務正與阿斯麥（ASML）進一步深化High-NA EUV合作。阿斯麥最新表示，將與包括英特爾、英偉達（NVDA）、台積電（TSM）和三星電子在內的主要芯片企業合作，開發更大尺寸光掩模，以推動下一代High-NA EUV設備用於大型AI和數據中心芯片製造。

目前阿斯麥廣泛使用的EUV光刻設備可以製造面積約800平方毫米的大型芯片，英偉達等公司的高端數據中心處理器已經接近這一尺寸上限。但新一代High-NA EUV雖然能夠實現更精細的芯片製造，現階段卻受到較小光掩模尺寸限制，難以直接生產與當前大型AI芯片相同面積的產品。

為解決這一問題，阿斯麥計劃推動更大尺寸光掩模技術，使High-NA EUV未來也能製造大型數據中心芯片。阿斯麥首席技術官Marco Pieters表示，如果行業能夠順利完成這一技術升級，High-NA EUV系統的生產效率還有望提高約40%。公司計劃在2031年展示相關試驗生產線，並於2033年前使該技術達到大規模量產條件。

英特爾是High-NA EUV應用進展最快的芯片製造商之一，也是阿斯麥的重要合作伙伴。2024年，英特爾率先在美國俄勒岡州安裝全球首套商用High-NA EUV設備；今年7月，英特爾晶圓代工進一步使用該技術生產部分基於Intel 18A工藝的Panther Lake處理器，並已實現相關產品出貨。

目前，英特爾使用High-NA EUV處理的300毫米晶圓累計已經超過100萬片，其中包括設備驗證、研發以及實際生產所使用的晶圓。公司現階段仍將採用標準尺寸光掩模，並通過拼接方式製造更大芯片，同時參與下一代大型光掩模方案開發。

阿斯麥表示，如果大型光掩模技術順利落地，除了擴大High-NA EUV可製造的芯片尺寸之外，還有望使設備生產效率提高約40%。公司計劃在2031年前後建立相關試驗生產線，併力爭到2033年達到量產準備狀態。

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