智通財經APP獲悉，國泰海通發布研報稱，AI/HPC推動GPU/ASIC和HBM的需求擴張，TCB設備是當前確定性最高的設備環節之一。HBM4e/5以及3DLogic等高密度互連需求將推動D2WHB逐步滲透，HBM早期有望從關鍵界面開始導入，隨着堆疊層數和互聯要求的提升持續擴大HB在高端鍵合的滲透率。鍵合設備有望成為先進封裝設備價值量向前中道延伸的重要節點。

國泰海通主要觀點如下：

AI/HPC推動先進封裝資本開支向中後道設備傳導，TCB設備是當前確定性最高的設備環節之一

該行認為，AI/HPC推動GPU/ASIC和HBM的需求擴張，隨着HBM堆疊層數提升和2.5D/3D封裝的滲透率提升，傳統倒裝封裝在互連精度、翹曲控制及超微間距互連方面面臨約束，TCB憑藉高精度對準及溫度、壓力可控等優勢成為HBM的主流方案。而Pitch間距的縮小也將推動TCB設備部分向Fluxless TCB遷移，目前Fluxless TCB已在邏輯領域獲得訂單，存儲廠商已開始進行HBM4e相關驗證。

混合鍵合具備高互連密度、低功耗及低熱阻優勢，隨着HBM與3DLogic升級，有望成為核心技術方向

儘管混合鍵合前期需投入大量成本，但其所帶來的互連密度、帶寬密度和能效方面具備明顯優勢，且依靠規模效應，HB的單互連成本亦有望顯著低於TCB。該行認為，HBM4e/5以及3DLogic等高密度互連需求將推動D2WHB逐步滲透，HBM早期有望從關鍵界面開始導入，隨着堆疊層數和互聯要求的提升持續擴大HB在高端鍵合的滲透率。

混合鍵合的投資價值不僅在於設備需求的增長，更在於平台化帶來的設備價值的提升及產業鏈價值外溢

該行認為，D2W混合鍵合對晶圓表面平整度、潔淨度、活化及對準精度等方面提出了更高的要求，推動鍵合設備從單一主機向集成清洗、等離子活化及原位計量的一體化平台演進。AMAT與Besi合作的Kinex、SUSS的D2W/W2W平台均體現出設備的平台化趨勢。隨着混合鍵合設備進入量產，清洗、CMP、量測等環節亦有望受益於工藝規格的升級，鍵合設備有望成為先進封裝設備價值量向前中道延伸的重要節點。

短期看TCB訂單彈性，中長期看HB平台化能力

該行認為，ASMPT兼具先進邏輯及HBMTCB需求，並向Fluxless TCB和HB延伸，具備較強的短中期業績彈性;Besi產品覆蓋FC，TCB和HB，在混合鍵合客戶和平台化能力方面具備領先優勢，長期受益於HB滲透率的提升;Hanmi則深度綁定HBM客戶，仍是當前HBM擴產的受益者;K&S則憑藉Fluxless TCB切入高端鍵合市場，具備長期追趕空間。

風險提示：AI下游需求不及預期風險;核心設備交期延長限制產能擴張風險;HBM採用混合鍵合時點延後風險;技術替代與路線分化風險。