ChainCatcher 消息，據朝鮮日報報道，中國最大 DRAM 廠商長鑫存儲（CXMT）已啓動第四代高帶寬存儲器 HBM3 試驗生產，初期良率停滯在 25%，約為量產黃金良率 80% 的三分之一。SK 海力士自 2022 年起量產同類產品，良率超過 90%。

長鑫存儲 HBM3 8 層堆疊產品前道工序良率約 30%，後道工序後約 70% 成為最終良品。公司將少量樣品供應給阿里巴巴平頭哥、寒武紀等中國企業並持續改善良率。其 G4（17 納米級）工藝普通 DRAM 無大問題，但 HBM 用 DRAM 芯片面積更大、電氣規格更嚴格。

業界將原因指向硅通孔 TSV 技術成熟度不足。Nomad Semi 分析顯示，三星 HBM2 每芯片 TSV 超 5000 個，SK 海力士 HBM3 超 8000 個，長鑫存儲約 3000 個。與三星、SK 海力士存在 4 至 5 年差距。